電腦基礎知識：硬盤內存參數含義詳解
硬盤和內存的品牌種類繁多，型號也是“千奇百怪”，很多朋友不知道如何來判斷硬盤和內存的優劣，有時候買到的并非自己想要的。下面我們就來說說硬盤和內存的一些參數含義以及這些參數如何來影響性能的，讓大家可以根據自己的需求來選擇購買對應參數的硬盤或內存。
● 硬盤主要參數詳解：
硬盤內部結構詳解
轉速：硬盤通常是按每分鐘轉速(RPM，Revolutions Per Minute)計算：該指標代表了硬盤主軸馬達(帶動磁盤)的轉速，比如5400 RPM就代表該硬盤中主軸轉速為每分鐘5400轉。目前主流筆記本硬盤轉速為5400RPM；臺式機硬盤則為7200RPM。但隨著技術的不斷進步，筆記本和臺式機均有萬轉產品問世。
單碟容量：單碟容量是硬盤相當重要的參數之一。硬盤是由多個存儲碟片組合而成，而單碟容量就是指一個存儲碟所能存儲的最大數據量。目前在垂直記錄技術的幫助下，單碟容量從之前80GB升級到250GB或者320GB，而三星則推出最高334GB單碟容量。硬盤單碟容量提高不僅僅可以帶來總容量提升，有利于降低生產成，提高工作穩定性；而且單碟容量越大其內部數據傳輸速率就越快。
平均尋道時間：平均尋道時間指硬盤在盤面上移動讀寫磁頭到指定磁道尋找相應目標數據所用的時間，單位為毫秒。當單碟容量增大時，磁頭的尋道動作和移動距離減少，從而使平均尋道時間減少，加快硬盤訪問速度。
硬盤背面PCB詳解
緩存：緩存是硬盤與外部交換數據的臨時場所。硬盤讀/寫數據時，通過緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，就像一個中轉倉庫一樣。目前大多數硬盤緩存已經達到16MB，而對于大容量產品則均為32MB容量。
內部數據傳輸率：內部傳輸率是指硬盤磁頭與緩存之間的數據傳輸率，簡單說就是硬盤將數據從盤片上讀取出來，然后存儲在緩存上的速度。內部傳輸率可以明確表現出硬盤的讀寫速度，它的高低才是評價一個硬盤整體性能的決定性因素。目前大多數桌面級硬盤基本都在70-90MB/S之間，筆記本硬盤則在55MB/S左右。
在了解完硬盤主要參數后，下面筆者教大家來通過硬盤標示來了解該塊硬盤的容量、轉速、緩存、接口類型等等。
● 內存主要參數詳解：
內存作為傳統電腦三大配件之一，雖然外表其貌不揚，而且體積小巧輕薄，但作用卻非常重要。內存可以說是CPU處理數據的“大倉庫”，所有經過CPU處理的指令和數據都要經過內存傳遞到電腦其他配件上，因此內存做工的好壞，直接影響到系統的穩定性。
海盜船4GB DDR2-1066內存套裝標簽
由于內存在標簽上并沒有具體統一的格式，所以在識別時候有些麻煩。一般的標簽都必須有的信息為容量(2048MB)、頻率(1066MHz)、延遲(5-6-6-18)、電壓(2.10V)等信息，這些也都是最基本的參數。
● 內存延遲
內存延遲表示系統進入數據存取操作就緒狀態前等待內存相應的時間，它通常用4個連著的阿拉伯數字來表示，例如“5-6-6-18”。其實并非延遲越小內存性能越高，因為CL-TRP-TRCD-TRAS這四個數值是配合使用的，相互影響的程度非常大，并且也不是數值最大時其性能也最差，那么更加合理的配比參數很重要。
上圖我們看到這款內存頻率為1066MHz，延遲為“5-6-6-18”，它們代表的意義從左往右分別是：
CAS Latency，即列地址選通脈沖時間延遲，我們常說的CL值就是它。指的是內存存取數據所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令后的反應速度。
RAS－to－CAS Delay(tRCD)，對應于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內存尋址。RAS(數據請求后首先被激發)和CAS(RAS完成后被激發)并不是連續的，存在著延遲。即內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。
Row－precharge Delay(tRP)，內存行地址選通脈沖預充電時間，即內存從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。
Row－active Delay(tRAS)，內存行地址選通延遲。是指從收到一個請求后到初始化RAS(行地址選通脈沖)真正開始接受數據的間隔時間。
